Ładuje się...
Characterisation of InGaN by Photoconductive Atomic Force Microscopy
Nanoscale structure has a large effect on the optoelectronic properties of InGaN, a material vital for energy saving technologies such as light emitting diodes. Photoconductive atomic force microscopy (PC-AFM) provides a new way to investigate this effect. In this study, PC-AFM was used to character...
Zapisane w:
| Wydane w: | Materials |
|---|---|
| Główni autorzy: | , , , |
| Format: | Artykuł |
| Wydane: |
MDPI AG
2018-09-01
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://www.mdpi.com/1996-1944/11/10/1794 |
| Etykiety: |
Dodaj etykietę
Nie ma etykietki, Dołącz pierwszą etykiete!
|