Design of a JFET and radiation PIN detector integrated on a high resistivity silicon substrate using a high temperature process

In this work, a fabrication process with a PIN diode integrated in a high resistivity silicon wafer is presented. This process uses high temperature thermal treatments to improve the JFET characteristics. Using simulation programs and statistical tools, the contribution of diverse process steps on t...

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Detalhes bibliográficos
Publicado no:Revista mexicana de física Revista mexicana de física, Volume: 52 Supplement 2, Pages: 50-53, Published: FEB 2006
Main Authors: Medel de Gante, A.T, Aceves-Mijares, M, Cerdeira, A
Formato: Artigo
Idioma:English
Publicado em: Sociedad Mexicana de Física 2006
Assuntos:
JFET
PIN
Thermal treatments
Tratamientos térmicos
Acesso em linha:http://www.scielo.org.mx/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0035-001X2006000800017&lng=en&tlng=en
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